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| 高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究 | |
| 引用本文： | 刘秀喜,薛成山,林玉松,孙瑛,庄惠照.高压大电流晶闸管受主双质掺杂新技术的研究[J].半导体学报,1996,17(8):632-636. |
| 作者姓名： | 刘秀喜 薛成山 林玉松 孙瑛 庄惠照 |
| 作者单位： | 山东师范大学半导体研究所 |
| 摘 要： | 针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项技术用于制造高压大电流晶闸管是可行的，产品电参数一致性和综合性能好，合格率高，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径． |
| 关 键 词： | 晶闸管 高电压 大电流 受主双质掺杂 |
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