HgCdTe注入工艺研究

ＨｇＣｄＴｅ是制造焦平面阵列最受关注的材料，注入掺杂又是研制焦平面阵列极有前途的工艺方法。但ＨｇＣｄＴｅ特性“娇嫩”，如Ｈｇ易分凝，因此研究这种的注入工艺成为首要的条件。考察了注入功率引起样品升温的影响，研究了不同注入能量、束流密度、剂量、元素等与材料之间性能变化的关系。通过离子注入ＨｇＣｄＴｅ的热学分析，实验研究了ＨｇＣｄＴｅ注入的工艺条件，束流与注入能量是Ｈｇ分弟的主要因素。