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| 采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性 | |
| 引用本文： | 王爱云.采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性[J].电子元件与材料,1994(4). |
| 作者姓名： | 王爱云 |
| 作者单位： | 航天工业总公司７７１所 |
| 摘 要： | 采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。 |
| 关 键 词： | 扩散掺铝，Cr－SiO薄膜电阻，热稳定性 |
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