首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布
引用本文:范建兴,冯伯儒.用时间-边界跟踪模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布[J].光子学报,1997,26(6):546-549.
作者姓名:范建兴  冯伯儒
作者单位:中国科学院光电技术研究所!成都,610209,中国科学院光电技术研究所!成都,610209,中国科学院光电技术研究所!成都,610209
摘    要:文章提出了时间一边界跟踪模型的定义,阐述了用该模型确定抗蚀剂显影后的轮廓分布的方法,并给出了模拟计算结果.

关 键 词:抗蚀剂显影  抗蚀剂轮廓  计算机模拟
收稿时间:1996-08-07

DETERMINATION OF RESIST PROFILE AFTER DEVELOPMENT WITH MODEL OF TIME-EDGE TRACKING
Fan Jianxing,Feng Born,Zhang Jing.DETERMINATION OF RESIST PROFILE AFTER DEVELOPMENT WITH MODEL OF TIME-EDGE TRACKING[J].Acta Photonica Sinica,1997,26(6):546-549.
Authors:Fan Jianxing  Feng Born  Zhang Jing
Institution:Institufe of Optics &; Electronics, Chinese Academy of Sciences, Chengdu 610209
Abstract:In the paper the definition of the model of time-edge tracking is presented. A method ofdetermination of the resist profile after development with the model is described. The simulation andcalculation results are given.
Keywords:Resist development  Resist profile  Computer simulation
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《光子学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光子学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号