磁导率近零太赫兹超材料设计的仿真分析 |
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引用本文: | 孙慧慧,延凤平,谭思宇,王伟,苏思思.磁导率近零太赫兹超材料设计的仿真分析[J].中国激光,2018(6). |
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作者姓名: | 孙慧慧 延凤平 谭思宇 王伟 苏思思 |
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作者单位: | 北京交通大学光波技术研究所全光网络与现代通信网教育部重点实验室 |
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摘 要: | 提出了一种以金属-电介质复合结构为基本单元的磁导率μ近零的太赫兹超材料。在太赫兹波垂直入射的情况下,当电场为横磁偏振时,在1.44THz谐振频率附近,可得到μ实部的最优值为0,μ近零的带宽(|μ|0.05)约为0.2THz;当电场为横电偏振时,在0.978THz谐振频率附近,得到μ实部的最优值为0,μ近零的带宽(|μ|0.05)约为0.1THz。在固定的几何参数下,通过改变偏振方向可以实现该超材料在不同频段内的近零效果。分析了聚酰亚胺介质层厚度、金属层数以及入射角度对磁导率近零效果的影响,并讨论了该结构的容差范围。
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