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| Nd4f电子对NdF_xO_(1-x)BiS_2低温电子结构和磁特性影响的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 陈磊 冯振杰 曹世勋 张金仓 |
| 作者单位： | 上海大学理学院物理系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11074163,10904088);上海市浦江人才计划(批准号:13PJD015)资助课题~~ |
| 摘 要： | 本文采用第一性原理计算软件包VASP,系统地研究了不同F掺杂比例的新型层状超导体NdFxO1-xBiS2(x=0,0.125,0.25,0.375,0.5)体系的晶格特性和电子结构,并着重研究了将Nd4f电子作为价电子引入对NdF0.5O0.5BiS2电子结构的影响和NdF0.5O0.5BiS2的磁有序结构.结果表明:引入F掺杂会减小晶格参数a的值,但随着掺杂比例的增加,a值又会逐渐增加,晶格参数c的值则保持递减的趋势;F掺杂比例为0.375时,费米能级处出现态密度峰值,意味着最佳掺杂;Nd4f电子作为价电子时会与Nd5d电子一起成为NdO(F)耗尽层中的载流子供体,不会改变BiS2超导层的电子结构;Nd子晶格局域磁矩的C-AFM型磁有序排列会大大增加体系的稳定性,成为最可能的磁性基态. |
| 关 键 词： | NdFxO1-xBiS2 电子结构 Nd4f电子 磁有序 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |