| γ 射线辐照缺陷对单层 MoS2 光谱学性质的调控研究 |
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| 引用本文： | 何俊材,李太申,佘泳志,姜郁飞,陈强,潘楠.γ 射线辐照缺陷对单层 MoS2 光谱学性质的调控研究[J].低温物理学报,2023(1):13-21. |
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| 作者姓名： | 何俊材 李太申 佘泳志 姜郁飞 陈强 潘楠 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学, 合肥微尺度物质科学国家研究中心, 合肥 230026 |
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| 摘 要： | 围绕着过渡金属二硫族化合物( 简称 TMDs) 材料的研究在近十年来一直是相关领域的热点. 本文利用γ射线辐照, 在单层 MoS2 中引入辐照缺陷, 利用光谱学手段结合原子力显微术研究辐照缺陷对单层 MoS2 光谱性质和能谷特性的影响. 结果表明,γ 射线成功地在单层 MoS2 中引入了辐照缺陷, 辐照缺陷对其室温拉曼谱和光致发光谱(photoluminescence, 简称PL) 影响较小, 但对其低温PL 特性有显著影响, 并且缺陷态束缚激子呈现出与自由激子截然不同的谷极化特性; 相较于自由激子, 缺陷态束缚激子的谷极化度对外加磁场的变化更为敏感, 并在面外磁场>2 T 时达到饱和, 保持在约30% .
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| 关 键 词： | 过渡金属二硫族化合物 γ 射线 缺陷 光致发光 谷极化 |
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