| 用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜 |
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| 引用本文： | 杨大鹏,赵永年,李英爱,苏作鹏,杜勇慧,吉晓瑞,杨旭昕,宫希亮,张铁臣.用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜[J].人工晶体学报,2006,35(5):953-957. |
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| 作者姓名： | 杨大鹏 赵永年 李英爱 苏作鹏 杜勇慧 吉晓瑞 杨旭昕 宫希亮 张铁臣 |
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| 作者单位： | 吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130023 |
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| 基金项目： | 感谢：感谢吉林大学超硬材料国家重点实验室赵永年组和刘冰冰组溅射装置的提供和拉曼测量. |
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| 摘 要： | 本文用射频磁控溅射方法在片状c-BN晶体基底上生长了c-BN薄膜,显微拉曼光谱(μ-RS)和扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明:沉积的薄膜是大约10μm厚、高结晶性、电子透明的高纯c-BN薄膜.岛状和层状生长模式在试验中清晰的展示出来.同时在生长的c-BN薄膜内部和被遮盖的基底部分上发现了籽晶.
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| 关 键 词： | 高结晶度 生长速率 生长模式 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-0953-05 |
| 收稿时间： | 03 24 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-03-24 |
Growth of Cubic Boron Nitride Thin Film on c-BN Crystal Substrate by RF Magnetron Sputtering |
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| YANG Da-peng,ZHAO Yong-nian,LI Ying-ai,SU Zuo-peng,DU Yong-hui,JI Xiao-rui,YANG Xu-xin,GONG Xi-liang,ZHANG Tie-chen.Growth of Cubic Boron Nitride Thin Film on c-BN Crystal Substrate by RF Magnetron Sputtering[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(5):953-957. |
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| Authors: | YANG Da-peng ZHAO Yong-nian LI Ying-ai SU Zuo-peng DU Yong-hui JI Xiao-rui YANG Xu-xin GONG Xi-liang ZHANG Tie-chen |
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| Institution: | National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130023, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high crystallization growth rate growth model |
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