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| 多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs | |
| 引用本文： | 高鸿楷,陈国夫.多晶磷化镓次级发射体──GaP:Cs[J].物理,1981(8). |
| 作者姓名： | 高鸿楷 陈国夫 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 (高鸿楷)，中国科学院西安光学精密机械研究所(陈国夫) |
| 摘 要： | 一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它的次级电子发射系数高,而且随一次电子能量的增加而上升.当一次电子能量为600eV时,多晶CaP:Cs的次级电子发射系数已达30,国外报道是20—50.普通合金 |
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