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La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用
引用本文:武安华,徐家跃.La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用[J].人工晶体学报,2002,31(6):559-564.
作者姓名:武安华  徐家跃
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
摘    要:本文综述了新型压电晶体La3Ga5SiO14的最新研究进展,详细讨论了该晶体的生长问题,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用,分析了该晶体在压电应用方面的优势.

关 键 词:La3Ga5SiO14  Czochralski  LPE  晶体生长  压电性能  声表面波  
文章编号:1000-985X(2002)06-559-06
修稿时间:2002年7月10日

Growth,Properties and SAW Applications of La3Ga5SiO14 Single Crystals
Abstract:
Keywords:La3Ga5SiO14  Czochralski  LPE
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