高亮度大功率InGaAIP红光LED芯片研制 |
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作者姓名: | 王小丽 牛萍娟 李晓云 于莉媛 杨广华 刘宏伟 高铁成 罗惠英 战瑛 于欣 |
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作者单位: | 天津工业大学信息与通信工程学院,天津300160 |
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摘 要: | 报道了大功率高亮度InGaAIP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16.4nm。光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0.6943,y=0.3056,显色指数为18.4。因此可以得知高亮度大功率InGaAIP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。
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关 键 词: | LED InGaAIP 湿法腐蚀 P型欧姆接触 |
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