射频磁控管等离子体低能大流量反应离子腐蚀

本文研究了在碳氟化合物气体中SiO_2和Si的磁控管等离子体腐蚀。这种等离子体具有很高的离化程度,无碰撞密度,低能离子流量(在1W/cm~2的情况下I～1.0mA/cm~2,30(?)E_i(?)250eV)和可控的腐蚀均匀性。大部分等离子体维持一个电场,电场可被整形以对腐蚀表面完成标准的离子轰击。研究证明该腐蚀方法具有良好各向异性,SiO_2/Si的选择性较高,腐蚀速率比常规的反应离子腐蚀高六倍。