场发射阵列(FEA)的稳定性(S)和可靠性(R)的研究 |
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引用本文: | 宋海波,张段.场发射阵列(FEA)的稳定性(S)和可靠性(R)的研究[J].电子器件,1994,17(3):22-24. |
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作者姓名: | 宋海波 张段 |
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作者单位: | 华东师范大学电子科学技术系,上海真空电子器件股份有限公司,中科院上海冶金所 |
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摘 要: | FEA器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对FEA器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积S和尖端表面场强E与器件稳定性和可靠性的关系。
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关 键 词: | 稳定性 可靠性 场发射阵列 |
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