| 自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展 |
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| 引用本文： | 韩秀峰. 自旋电子学材料、物理和器件设计原理的研究进展[J]. 物理, 2008, 37(6): 392-399 |
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| 作者姓名： | 韩秀峰 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,磁学国家重点实验室,北京,100190 |
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| 摘 要： | 文章介绍了作者所在实验室在巨磁电阻(GMR)、隧穿磁电阻(TMR)、庞磁电阻(CMR)和反铁磁钉扎薄膜材料以及单晶金属氧化物、高自旋极化率材料、P-N异质结和纳米环磁随机存储器原理型演示器件设计等研究方面取得的一些重要研究成果和进展.例如:在Al-O势垒磁性隧道结材料体系里,获得室温磁电阻超过80%的国际最好结果;获得两种高性能层状反铁磁钉扎材料体系;发现具有大的电致电阻效应的CMR薄膜材料,并可期望用于电流直接进行磁信息写和读操作的磁存储介质;发现双势垒磁性隧道结中的量子阱态共振隧穿和磁电阻振荡效应,以及纳米器件体系中自旋翻转长度的观测新方法,可用于新型自旋电子学材料及相关器件的人工辅助设计;利用电子自旋共振谱探测和研究了金属氧化物的微观自旋结构和各向异性;在[CoFe/Pt]n磁性金属多层膜中,观测到超高灵敏度的反常霍尔效应;利用纳米环状磁性隧道结作为存储单元,研制出一种新型纳米环磁随机存储器MRAM原理型演示器件.
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| 关 键 词： | 自旋电子学 巨磁电阻 隧穿磁电阻 庞磁电阻 磁随机存储器 自旋转移力矩 电子自旋共振 自旋电子学 材料 物理 器件设计 原理 研究进展 materials device MRAM 存储单元 环状 纳米 反常霍尔效应 高灵敏度 金属多层膜 磁性 CoFe 自旋结构 微观 探测 |
| 修稿时间： | 2008-05-25 |
Spintronic materials, physics and device designs |
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| HAN Xiu-Feng. Spintronic materials, physics and device designs[J]. Physics, 2008, 37(6): 392-399 |
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| Authors: | HAN Xiu-Feng |
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| Keywords: | |
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