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| 电子在硅掺杂石墨烯结构中的输运特性 | |
| 引用本文： | 熊德永,刁心峰,唐延林,马慧,令狐荣锋.电子在硅掺杂石墨烯结构中的输运特性[J].广西师范学院学报(自然科学版),2018(3). |
| 作者姓名： | 熊德永 刁心峰 唐延林 马慧 令狐荣锋 |
| 作者单位： | 贵州师范学院物理与电子科学学院;贵州大学大数据与信息工程学院;贵州医科大学生物与工程学院 |
| 摘 要： | 该文利用密度泛函理论计算了石墨烯6×3×1单层分子中的电子传输特性.计算结果表明,Si掺杂位置不同,石墨烯的能带结构发生改变.然后沿锯齿型方向加电极电压0.5V,再分别沿锯齿型方向和扶手椅型方向进行掺杂,利用Dmol~3模块分析得到其传输特性曲线.计算结果表明,在掺杂原子均匀分布时,在其两端加正向电压和反向电压的情况下,电子传输相对较为稳定.当沿锯齿型方向和扶手椅型方向间隔掺杂时,电子反向传输浮动较大.并且发现在扶手椅型方向上掺入Si原子增多,则电子传输曲线峰值降低,符合欧姆定律的特性. |
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