铟钕掺杂钽酸锂单晶的生长及光学性能 |
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引用本文: | 赫崇君,李伟立,王吉明,顾晓蓉,吴彤,刘友文.铟钕掺杂钽酸锂单晶的生长及光学性能[J].光学学报,2018(1). |
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作者姓名: | 赫崇君 李伟立 王吉明 顾晓蓉 吴彤 刘友文 |
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作者单位: | 南京航空航天大学理学院; |
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摘 要: | 采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶。测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱,分析了该晶体的缺陷结构,得到了铟离子的掺杂浓度阈值。当铟离子掺杂浓度达到该阈值时,In∶Nd∶LiTaO3晶体的抗光损伤能力显著增强。铟离子取代晶体中的反位TaLi4+,使晶体光电导增大,减弱了光折变效应。In∶Nd∶LiTaO3晶体在光波长0.808μm处的吸收峰的半峰全宽为15nm,吸收截面为5.26×10-21 cm2。采用0.808μm半导体激光作为抽运源,钕离子在光波长1.06μm处出现强烈的荧光带。这些研究结果表明,In∶Nd∶LiTaO3作为多功能晶体可以应用于高功率的光子学或光电子学器件中。
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