以表面修饰铯掺杂ZnO纳米柱阵列为电子传输层的太阳能电池

通过化学水浴法生长了铯掺杂ZnO纳米柱阵列(CZO-NRA),将其作为电子传输层(ETL),利用乙醇胺与二甲氧基乙醇共混溶液对CZO-NRA进行表面修饰,制备了倒置聚合物太阳能电池。研究结果表明,适量的铯掺杂提高了纳米柱的c轴择优取向结晶度,减少了ETL中由氧空位和锌填隙原子引起的深能级缺陷,减小了器件的串联电阻,增大了器件的短路电流与填充因子。表面修饰减少了CZO-NRA的表面缺陷,减小了ETL与有源层的接触电阻,抑制了界面载流子复合。与未掺杂的器件相比,表面修饰CZO-NRA器件的能量转换效率由1.27%提高至2.89%。