扫描干涉场曝光中光栅掩模槽形轮廓的预测 |
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作者姓名: | 鲁森 杨开明 朱煜 王磊杰 张鸣 |
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作者单位: | 清华大学机械工程系摩擦学国家重点实验室;清华大学精密超精密制造装备及控制北京市重点实验室 |
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摘 要: | 根据扫描干涉场曝光的特点,针对光刻胶层内曝光量的驻波效应,建立了动态曝光模型。基于快速推进法建立了显影模型,得到了光栅掩模槽形的演变规律。为减弱驻波效应的影响,提出了一种抗反射层最优厚度的设计方法。仿真结果表明,建立的曝光和显影模型能有效预测光栅掩模的槽形轮廓,同时可优化抗反射膜的厚度。
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