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单场效应管开关电容四象限乘法器
引用本文:张樟森,董学思.单场效应管开关电容四象限乘法器[J].电子学报,1989,17(3):118-120.
作者姓名:张樟森  董学思
作者单位:北京理工大学,国家科委
摘    要:本文给出一种新型四象限模拟乘法器(4-QAM)的实现电路。该乘法器利用一只耗尽型场效型管(D-FET)的线性区伏安特性,实现两信号的相乘,从而避免了多个FET的不一致问题,且结构简单。其独到之处还在于,通过调节电路外部时钟脉冲宽度可以完全修正电路内部两电容量不等所带来的误差。

关 键 词:乘法器  四象限  场效应管
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