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采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究
引用本文:王耀辉,张旭,吴先映,徐元直,张荟星,张孝吉.采用双等离子体制备非晶态碳膜的研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2007,43(2):154-157.
作者姓名:王耀辉  张旭  吴先映  徐元直  张荟星  张孝吉
作者单位:北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京;北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京;北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京;北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京;北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京;北京师范大学射线束技术和材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心:100875,北京
摘    要:采用直流金属磁过滤阴极真空弧(FCVA)制造出Ti和乙炔(C2H2)气体的双等离子体在单晶硅(100)上制备非晶态碳膜.重点研究了乙炔气体和过滤线圈电流对非晶态碳膜的结构、形貌和机械性能的影响.研究结果表明,薄膜中主要成分是TiC,并以(111)作为主晶向;随着过滤线圈电流的增大,薄膜的晶粒度越来越小;薄膜表面的粗糙度逐渐减小,变得更加平整;薄膜的应力减小,可以下降到2.5 GPa.薄膜的显微硬度和弹性模量随着C2H2体积流qV(C2H2)的增大而降低,硬度和弹性模量分别可以达到33.9 GPa和237.6 GPa.非晶态碳膜的摩擦因数在0.1~0.25之间,大大低于衬底材料单晶硅片的摩擦因数0.6.随着过滤线圈电流增大,摩擦因数减小.

关 键 词:非晶态碳膜  磁过滤阴极真空弧  过滤线圈电流  乙炔的体积流量  结构和性能
修稿时间:2006-11-16

INVESTIGATION ON AMORPHOUS CARBON FILMS FABRICATED BY DUAL PLASMA TECHNIQUE
Wang Yaohui,Zhang Xu,Wu Xianying,Xu Yuanzhi,Zhang Huixing,Zhang Xiaoji.INVESTIGATION ON AMORPHOUS CARBON FILMS FABRICATED BY DUAL PLASMA TECHNIQUE[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2007,43(2):154-157.
Authors:Wang Yaohui  Zhang Xu  Wu Xianying  Xu Yuanzhi  Zhang Huixing  Zhang Xiaoji
Abstract:
Keywords:amorphous carbon films  filtered cathodic vacuum arc  filter coil current  acetylene flow rate  structure and properties
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