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| 硼离子对铕掺杂SiO2干凝胶发光性能的影响 | |
| 引用本文： | 胡晓云,樊君,白晋涛,仁兆玉,侯洵.硼离子对铕掺杂SiO2干凝胶发光性能的影响[J].中国稀土学报,2005,23(6):695-699. |
| 作者姓名： | 胡晓云 樊君 白晋涛 仁兆玉 侯洵 |
| 作者单位： | 1. 西北大学光子学与光子技术研究所,陕西,西安,710069;西北大学物理系,陕西,西安,710069 2. 西北大学化工学院,陕西,西安,710069 3. 西北大学光子学与光子技术研究所,陕西,西安,710069 4. 西北大学光子学与光子技术研究所,陕西,西安,710069;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西,西安,710068 |
| 基金项目： | 陕西省科技厅科技攻关项目（2004k05-G26） |
| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B，Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶。利用荧光光谱、IR，XRD，DSC，TG／DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响。经500℃以上退火处理用248nm激发的样品，产生Eu^3＋离子^5D0→^7FJ的特征发射，^5D0→^7F1的跃迁分裂为两个峰。比较615nm处的发光强度，掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3．3倍。这是因为B离子的加入，在材料中形成了Si—O—B键，破坏了网络的对称性，加强了Eu^3＋的红光发射。当退火温度上升到850℃用350nm激发时，样品有很强的Eu^2＋蓝光发射。Al单掺的发射中心在437nm处，发射半峰宽约为70nm，而B，Al共掺样品的发光中心蓝移到425nm处，单掺样品的蓝光强度几乎是共掺样品强度的2倍。这是由于硼酸的加入改变了基质的网络结构，从而导致单掺和共掺样品发射峰位和强度的改变。 |
| 关 键 词： | 硼离子 溶胶 凝胶法 发光性质 （Eu^3＋ Eu^2＋ SiO2）干凝胶 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343（2005）06-0695-05 |
| 收稿时间： | 01 14 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-01-142005-06-26 |
Enhanced Emission of Eu3+ in Boron Ions-Doped Sol-Gel SiO2 Phosphors |
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| Hu Xiaoyun,Fan Jun,Bai Jintao,Ren Zhaoyu,Hou Xun.Enhanced Emission of Eu3+ in Boron Ions-Doped Sol-Gel SiO2 Phosphors[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2005,23(6):695-699. | |
| Authors: | Hu Xiaoyun Fan Jun Bai Jintao Ren Zhaoyu Hou Xun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Boron ions sol-gel method luminescent properties (Eu~(3+) Eu~(2+) SiO_2) xerogel rare earths |
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