掩模对准仪的新动向 |
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引用本文: | 百漱克己,吉成秀树,丁天怀.掩模对准仪的新动向[J].电子工业专用设备,1979(1). |
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作者姓名: | 百漱克己 吉成秀树 丁天怀 |
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作者单位: | 清华大学精仪系 |
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摘 要: | 1.前言自从半导体平面制造技术发展以来,主要使用的是接触式掩模对准仪。集成电路从大规模发展到超大规模,其集成度迅速提高。而用于制做这些器件的光学刻蚀技术也渐渐到了极限,这就促进了远紫外、软X线和电子束光刻技术的研制。另外,在提高集成度方面,对准精度有着很大的影响。为了提高对准精度,减轻劳动强度,就需要研制精度更高的自动对准装置。本文以制做2μ宽线条为前提,讨论一下近来用于远紫外及紫外曝光对准范围的令人注目的对准方法及自动对准装置。
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