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反应溅射法制备钒氧化物薄膜及电学性质的测量
摘    要:采用射频溅射法,通过控制通入真空腔中Ar和O2的比例来获得VOx薄膜.由于V的氧化物众多,不同的氧分压会显著影响薄膜的组分.实验结果表明:尽管在X射线衍射谱上没有观测到明显的VO2特征峰,但在氧气的比例为40%~50%时样品具有很大的电阻温度系数.

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