| 一种结构调整后的DSOI器件 |
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| 引用本文： | 江波,何平,田立林,林羲. 一种结构调整后的DSOI器件[J]. 半导体学报, 2002, 23(9): 966-971. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.09.014 |
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| 作者姓名： | 江波 何平 田立林 林羲 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);; |
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| 摘 要： | 提出一种改进的DSOI结构,在保留DSOI解决浮体效应和散热问题的基础上,能提高电路速度和驱动能力等器件性能.采用不完全除去沟道下绝缘层的办法,使DSOI器件的结构更接近SOI.采用准二维器件模拟器MEDICI对结构进行模拟,结果证明这种改进后的结构使器件具有更优越的性能.
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| 关 键 词： | SOI DSOI MOSFET 器件结构 模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)09-0966-06 |
| 修稿时间： | 2001-11-18 |
A Modified DSOI Device |
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| Jiang Bo,He Ping,Tian Lilin and Lin Xi. A Modified DSOI Device[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(9): 966-971. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.09.014 |
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| Authors: | Jiang Bo He Ping Tian Lilin Lin Xi |
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| Abstract: | A new device structure called DSOI (drain/source on insulator) is proposed to alleviate the thermal transfer problem and floating body effects in SOI (silicon on insulator) device.The purpose of present work is to modify DSOI structure to get the best device electrical capability.Simulation results approve that this modified structure has better electrical performance than prototype. |
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| Keywords: | SOI DSOI simulation MOSFET device structure |
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