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| 电子俘获型材料Sr_3SiO_5∶Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Nd~(3+),Ho~(3+),La~(3+))的光激励和长余辉发光性能的研究 | |
| 引用本文： | 张哲,徐旭辉,邱建备,张新,余雪.电子俘获型材料Sr_3SiO_5∶Eu~(2+),RE~(3+)(RE=Nd~(3+),Ho~(3+),La~(3+))的光激励和长余辉发光性能的研究[J].光谱学与光谱分析,2014,34(6):1486-1491. |
| 作者姓名： | 张哲 徐旭辉 邱建备 张新 余雪 |
| 作者单位： | 张哲:昆明理工大学材料科学与工程学院, 云南 昆明650093 徐旭辉:昆明理工大学材料科学与工程学院, 云南 昆明650093 邱建备:昆明理工大学材料科学与工程学院, 云南 昆明650093 张新:昆明理工大学材料科学与工程学院, 云南 昆明650093 余雪:昆明理工大学材料科学与工程学院, 云南 昆明650093 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（11204113）, 高等学校博士学科点专项科研基金项目(20115314120001), 云南省自然科学基金项目（2011FB022）和昆明理工大学分析与测试基金项目（20130159）资助 |
| 摘 要： | 通过高温固相法制备出系列电子俘获型材料Sr3SiO5∶Eu2+,RE3+(RE=Nd3+,Ho3+,La3+),并对其光激励和长余辉性能进行了研究。经过紫外光源激发后,利用980nm激光照射时,表现出很强的上转换光激励信息读出响应,其归因于较深陷阱(438K)的存在,这种性能在Sr3SiO5∶Eu2+,La3+和Sr3SiO5∶Eu2+,Ho3+两种材料表现尤为明显。随后,对陷阱的深度和载流子浓度进行了研究,并分析产生光激励性能的原因。热释光光谱中电子俘获参数的计算是通过Chen’s半宽方法,得出438K所对应的陷阱深度值,并与980nm激光辐照光源的能量形成对比。与此同时,共掺稀土离子后的余辉性能也有着较大幅度的提高,Sr3SiO5∶Eu2+,La3+的余辉时间更是达到12h以上。研究结果显示,共掺样品的陷阱结构的改变是导致其光激励及余辉性能的根本原因。 |
| 关 键 词： | 电子俘获 光激励发光 光存储 |
| 收稿时间： | 2013/7/25 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |