| 石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能 |
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| 引用本文： | 田雷雷,魏贤勇,庄全超,宗志敏,孙世刚.石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能[J].化学学报,2013(9):1270-1274. |
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| 作者姓名： | 田雷雷 魏贤勇 庄全超 宗志敏 孙世刚 |
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| 作者单位： | 中国矿业大学化工学院;中国矿业大学材料科学与工程学院;固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学化工学院化学系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金创新研究群体科学基金(No.51221462);江苏省研究生培养创新工程(No.CXZZ12_0943);江苏高校优势学科建设工程资助~~ |
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| 摘 要： | 半导体的能级结构和金属-半导体异质结的结构及性质对金属-半导体复合材料的导电性能具有重要影响.优化半导体相的能级结构和金属-半导体接触界面的势垒是增强金属-半导体型复合电极材料导电能力,提高复合电极材料储锂性能的重要途径.采用水热反应-原位热还原法制备石墨烯包覆Cu2+1O/Cu复合材料.根据SEM和XRD研究结果,Cu2+1O(金属过剩型Cu2O)和Cu复合体被均匀包裹在柔性石墨烯层中.充放电结果表明,石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料电极具有较高的充放电容量和优异的循环性能,50 mA g-1充放电的首周充电和放电比容量分别为773和438 mA h g-1,60周的容量保持率为84%;同时也具有很好的倍率性能,表明石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料具有良好的金属-半导体异质结界面的结构和优异的导电性能.
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| 关 键 词： | 石墨烯 氧化亚铜 半导体 异质结 锂离子电池 电子输运 |
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