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低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射
引用本文:谭震宇,夏曰源. 低能束作用下衬底上超薄膜背散射电子发射[J]. 物理学报, 2002, 51(7): 1506-1511
作者姓名:谭震宇  夏曰源
作者单位:(1)山东大学电气工程学院,济南250061; (2)山东大学物理与微电子学院,济南250100
摘    要:应用MonteCarlo方法模拟千电子伏低能束作用下,不同衬底上不同薄膜背散射电子发射.应用Mott散射截面和Joy方法修正的Bethe方程描述和计算低能电子在固体中弹性和非弹性散射,引入边界方程,修正穿越薄膜与衬底界面的电子散射路径.计算分析了薄膜背散射系数η随薄膜厚度D的变化和规律,以及不同情况下ηD线性区范围的分布及其定量结果Dmax.计算了背散射电子角分布和空间密度分布.关键词:背散射电子MonteCarlo方法超薄膜

关 键 词:背散射电子  MonteCarlo方法  超薄膜
收稿时间:2001-11-16
修稿时间:2001-11-16

Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams
Tan Zhen-Yu and Xia Yue-Yuan. Emission of the backscattered electrons from ultra-thin film on substrate under the action of low-energy beams[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(7): 1506-1511
Authors:Tan Zhen-Yu and Xia Yue-Yuan
Abstract:
Keywords
Keywords:backscattered electron   Monte Carlo method   ultra thin film  
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