| 痕量砷在金膜电极上阳极溶出伏安法的研究 |
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| 引用本文： | 邓家祺,陈晓明,何佩鑫.痕量砷在金膜电极上阳极溶出伏安法的研究[J].化学学报,1980,38(5):441-449. |
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| 作者姓名： | 邓家祺 陈晓明 何佩鑫 |
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| 作者单位： | 复旦大学化学系 |
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| 摘 要： | 本文报道了痕量砷在玻璃态石墨电极为基体的金膜电极上的阳极溶出伏安法,在1M硫酸介质中,于+0.20V左右得到一个砷的溶出峰,峰高与砷的浓度在1.0×10-9M～6.0×10-6M范围内有良好的线性关系.定量下限达1.0×10-9M,相当于0.075ppb,比DDC银法灵敏度高出200多倍.本文并用三角波周期伏安法观察了电极反应过程,证明电极反应属不可逆反应.此外认为砷在电极上的浓集是由于形成了砷-金的金属间化合物.
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A STUDY OF ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRY OF TRACE ARSENIC ON GOLD FILM ELECTRODE |
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| DENC JIA-QI,CHEN XIAO-MING,HE PEI-XIN.A STUDY OF ANODIC STRIPPING VOLTAMMETRY OF TRACE ARSENIC ON GOLD FILM ELECTRODE[J].Acta Chimica Sinica,1980,38(5):441-449. |
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| Authors: | DENC JIA-QI CHEN XIAO-MING HE PEI-XIN |
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| Institution: | Department of Chemistry, Fudan University, Shanghai |
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