| 用角分辨紫外光电子能谱研究GaP的能带结构 |
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| 引用本文： | 卢学坤,侯晓远,丁训民,陈平.用角分辨紫外光电子能谱研究GaP的能带结构[J].物理学报,1990,39(8):108-114. |
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| 作者姓名： | 卢学坤 侯晓远 丁训民 陈平 |
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| 作者单位： | 复旦大学表面物理实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;上海市科学技术委员会自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文利用Hel紫外线作为激发源,测量了GaP(Ⅲ)面的角分辨紫外光电子能谱,通过详细的数据分析,解释了谱中观察到的各光电子峰。实验测得的体电子能带结构特征与理论符合较好。
关键词：
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| 关 键 词： | ARUPS GaP 能带结构 半导体 |
| 收稿时间： | 1989-11-07 |
GaP BAND STRUCTURE STUDIED BY ARUPS |
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| LU XUE-KUN,HOU XIAO-YUAN,CING XUN-MIN and CHEN PING.GaP BAND STRUCTURE STUDIED BY ARUPS[J].Acta Physica Sinica,1990,39(8):108-114. |
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| Authors: | LU XUE-KUN HOU XIAO-YUAN CING XUN-MIN and CHEN PING |
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| Abstract: | Hel ultraviolet light has been used to take angle resolved ultraviolet photoelectron spectra (ARUPS) of GaP(Ⅲ) surfaces. The observed photoelectron peaks have been explained based on detailed analysis of the data The measured characteristics of the bulk band structure agrees well with the theoretical prediction. |
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| Keywords: | |
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