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| 共振隧穿型太赫兹波振荡器设计 | |
| 作者单位： | ;1.天津大学电子信息工程学院;2.中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 摘 要： | 本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器WinGreen模拟,将势阱厚度从4.5nm降低到4nm,峰值电流密度JP从13mA/μm2达到43mA/μm2,输出功率从235μW达到2.625mW。阵列型RTO可实现功率合成,使RTO的功率再增加一个数量级,达到毫瓦甚至几十毫瓦。同时建立包含各种寄生参数的等效电路模型,通过PSPICE工具仿真,得到振荡频率可达1.78THz的仿真结果。 |
| 关 键 词： | 共振隧穿型太赫兹波振荡器 磷化铟基共振隧穿二极管 发射极渐变铟含量结构 高铟过渡层结构 功率合成 |
The Terahertz Oscillator with Resonant Tunneling Diode |
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| Keywords: | |