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| 平面石墨烯纳米带隧穿场效应管理论设计 | |
| 作者单位： | ;1.武汉大学物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 不同于传统的立体结构隧穿器件,本文给出了一种新型平面石墨烯纳米带隧穿场效应管的理论设计。基于石墨烯纳米带几何宽度调控禁带宽度的思想,构建"双十字形"石墨烯纳米带超晶格作为沟道,设计了石墨烯纳米带超晶格场效应管。从能带结构和传输谱上给出了该器件负微分电阻特性的理论解释,并由器件的输出特性得到了验证。在此基础上对器件的隧穿工作机理做出了探讨。该场效应管在一个器件上实现了多个负微分电阻区域,可应用于多值逻辑电路设计。 |
| 关 键 词： | 石墨烯纳米带 场效应管 隧穿 能带结构 |
The Theoretical Design of Planar Graphene Nanoribbon Tunneling FET |
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