| InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计 |
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| 引用本文： | 徐刚毅,李爱珍.InGaAsSb/AlGaAsSb长波长多量子阱激光器有源区的优化设计[J].物理学报,2004,53(1):218-225. |
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| 作者姓名： | 徐刚毅 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家“863”高技术发展计划(批准号：2001AA311150)和国家自然科学重点基金（批准号：60136010）资助的课题. |
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| 摘 要： | 系统地研究了波长为2.7μm的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器中有源区的优化设计.分别用含应变势的6带KP模型和抛物带模型计算价带和导带的能带结构，并得到薛定谔方程和泊松方程的自洽解，由此计算量子阱在载流子注入时的增益谱.研究表明制约量子阱增益的主要因素不是跃迁矩阵元，而是粒子数反转程度，尤其是空穴填充HH1子带的概率.增加压应变或减小阱宽都会提高量子阱增益.前者降低了价带HH1子带空穴的平面内有效质量；后者拉大了价带子带间距，尽管它同时略微增加了空穴有效质量.这两种因素都导致价带顶空穴态
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| 关 键 词： | 长波长量子阱激光器，能带结构，增益谱 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(01)/0218-08 |
| 修稿时间： | 2002年12月26 |
Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSblong wavelength multi quantum well lasers |
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| Xu Gang-Yi and Li Ai-Zhen.Optimal design of the active regions for InGaAsSb/AlGaAsSblong wavelength multi quantum well lasers[J].Acta Physica Sinica,2004,53(1):218-225. |
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| Authors: | Xu Gang-Yi and Li Ai-Zhen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | long wavelength quantum well lasers band structure gain spectrum |
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