| 一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计 |
| |
| 引用本文： | 曾 伟,武 华,冯秀平,陈翰民,姚 佳,杨煌虹.一种低反向恢复电流的无电压回跳RC-IGBT设计[J].电子器件,2023,46(6):1480-1483. |
| |
| 作者姓名： | 曾 伟 武 华 冯秀平 陈翰民 姚 佳 杨煌虹 |
| |
| 作者单位： | 赣南师范大学物理与电子信息学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
| |
| 摘 要： | 提出了一种无电压回跳的逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)结构，在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层，通过加入的N型高阻层增加集电极电阻，同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入，消除了电压回跳现象，并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15 A/cm3，同时改善了器件的关断特性，关断时间减小了103 ns。相较于传统FS RC-IGBT，反向恢复峰值电流降低了33.3%，关断时间减小了9.93%。
|
| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 无电压回跳 N+集电区 反向恢复电流 |
|
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《电子器件》下载免费的PDF全文 |
|
