| 回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证 |
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| 引用本文： | 肖洋.回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证[J].微电子学,2023,53(6):1011-1016. |
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| 作者姓名： | 肖洋 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学, 成都 611731;2. 电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 重庆市自然基金项目(CSTB2023NSCQMSX0153) |
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| 摘 要： | 介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18 μm BCD工艺下流片,测试结果表明,理论模型在一定栅压范围内误差可低于10%。在总剂量测试中,关态泄漏电流随剂量增加变化较小,有一定的抗辐射加固能力。
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| 关 键 词： | 总剂量效应 LDMOS 环栅器件 等效宽长比模型 |
| 收稿时间： | 2023/9/12 0:00:00 |
Modeling and Testing of a Rectangular Enclosed Layout LDMOS |
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| XIAO Yang.Modeling and Testing of a Rectangular Enclosed Layout LDMOS[J].Microelectronics,2023,53(6):1011-1016. |
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| Authors: | XIAO Yang |
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| Institution: | 1. University of Electronic Science and Technology of China , Chengdu 611731, P. R. China;2. Chongqing Institute Microelectronics Industry Technology, University of Electronic Science and Technology of China, Chongqing 400060, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TID radiation LDMOS enclosed layout equivalent aspect ratio W/L |
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