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应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR
引用本文:王松岩,范晓梅,朱治华,张英韬,王耀,刘俊杰,陈睿科. 应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR[J]. 微电子学, 2022, 52(1): 120-124
作者姓名:王松岩  范晓梅  朱治华  张英韬  王耀  刘俊杰  陈睿科
作者单位:郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61874098)
摘    要:传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险。文章提出了一种嵌入分流路径的LVTSCR。基于0.18 μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TCAD软件模拟人体模型,对器件准静态特性进行了分析。结果表明,新型器件在保持触发电压、ESD防护性良好的情况下,有效提高了维持电压。对关键尺寸D6进行优化,该器件的维持电压提高到5.5 V以上,器件可安全应用于5 V电压电路,避免了闩锁效应。

关 键 词:静电放电   可控硅   维持电压   闩锁   分流
收稿时间:2021-06-15

A Novel Latch-Up-Immune LVTSCR for 5 V Operating Voltage Circuit
WANG Songyan,FAN Xiaomei,ZHU Zhihu,ZHANG Yingtao,WANG Yao,LIOU Junjie,CHEN Ruike. A Novel Latch-Up-Immune LVTSCR for 5 V Operating Voltage Circuit[J]. Microelectronics, 2022, 52(1): 120-124
Authors:WANG Songyan  FAN Xiaomei  ZHU Zhihu  ZHANG Yingtao  WANG Yao  LIOU Junjie  CHEN Ruike
Affiliation:School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P. R. China
Abstract:
Keywords:
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