| 退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能 ZnO薄膜发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈玉凤 温战华 王立 戴江南 方文卿 江风益. 退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能 ZnO薄膜发光特性的影响[J]. 发光学报, 2005, 26(5): 611-616 |
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| 作者姓名： | 陈玉凤 温战华 王立 戴江南 方文卿 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);信息产业部电子信息产业发展基金 |
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| 摘 要： | 研究了氧气退火和氮气退火对ZnO薄膜发光特性的影响。ZnO膜是采用常压金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（0001）衬底上生长的。原生样品1有一很强的紫外峰及较强的绿光峰（525nm附近）；原生样品2有很强的紫外峰，深能级发光几乎观察不到。然后从不同原生膜上取两块小样品，分别在氧气和氮气中退火，退火温度是400，500，600，700，800℃。结果表明，在700℃以下退火，退火气氛对ZnO膜的深能级发光影响较大；超过700℃后，退火温度对ZnO薄膜的发光影响大，但退火气氛影响不太明显。通过退火对ZnO薄膜发光特性的影响，讨论了ZnO膜中525nm附近绿光峰的起源。
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| 关 键 词： | 退火 薄膜 ZnO 金属有机化学气相沉积 绿光 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）05-0611-06 |
| 收稿时间： | 2004-08-23 |
| 修稿时间： | 2004-12-22 |
Influence of Annealing on Luminescent Properties of High Crystalline ZnO Thin Films Grown by Atmospheric Pressure MOCVD |
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| CHEN Yu-feng, WEN Zhan-hua, WANG Li, DAI Jiang-nan, FANG Wen-qing, JIANG Feng-yi,. Influence of Annealing on Luminescent Properties of High Crystalline ZnO Thin Films Grown by Atmospheric Pressure MOCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2005, 26(5): 611-616 |
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| Authors: | CHEN Yu-feng WEN Zhan-hua WANG Li DAI Jiang-nan FANG Wen-qing JIANG Feng-yi |
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| Affiliation: | Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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