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再论空穴和霍尔效应
引用本文:马连喜. 再论空穴和霍尔效应[J]. 物理通报, 2010, 0(5): 67-67
作者姓名:马连喜
作者单位:Department of Physics, Blinn College, TX 77805,USA 
摘    要:笔者曾谈论过空穴和霍尔效应问题[1],试图回答,在本质上都是电子移动的情况下, 为什么自由电子导电 (n 型半导体)和空穴导电 (p 型半导体)会出现相反方向的霍尔电压.笔者想用更通俗的方式再论述一下此问题.

关 键 词:霍尔效应  空穴  电子导电  p型半导体  n型半导体  霍尔电压

Once more Discussions of Holes and Hall-effect
Ma Liangxi. Once more Discussions of Holes and Hall-effect[J]. , 2010, 0(5): 67-67
Authors:Ma Liangxi
Affiliation:Department of Physics, Blinn College, TX 77805,USA
Abstract:
Keywords:
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