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| 薄层硅烷同步外延的研究 | |
| 引用本文： | 张旗,李思渊,王根生,王兴斌.薄层硅烷同步外延的研究[J].半导体技术,1988(3). |
| 作者姓名： | 张旗 李思渊 王根生 王兴斌 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 (张旗，李思渊，王根生)，兰州大学物理系(王兴斌) |
| 摘 要： | 本文研究了薄层硅烷同步外延与SiH_4浓度、外延温度及时间分配诸方面的关系.给出了最佳工艺范围. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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