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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
引用本文:王明宇,汤玉生,管慧.电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):158-163.
作者姓名:王明宇  汤玉生  管慧
作者单位:上海交通大学微电子技术研究所,200030
摘    要:电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 ,并将它应用于差分四象限模拟乘法器

关 键 词:电阻耦合型神经金属-氧化物-半导体晶体管  电容耦合型神经金属-氧化物-半导体晶体管  差分四象限模拟乘法器
文章编号:1000-3819(2002)02-158-06
修稿时间:2000年6月5日

The Resistance Coupling Neuron MOS Transistor and It's Difference Four-quadrant Analogue Multiplier
WANG Mingyu,TANG Yusheng,GUAN Hui.The Resistance Coupling Neuron MOS Transistor and It''s Difference Four-quadrant Analogue Multiplier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(2):158-163.
Authors:WANG Mingyu  TANG Yusheng  GUAN Hui
Abstract:The resistance coupling neuron MOS transistor is bringed forword basing on the capacitance coupling(floating gate) neuron MOS transistor. It overcomes the disadvantage produced by capacitance coupling in the capacitance coupling neuron MOS transistor. This paper introduces the character and the structure of the resistance coupling neuron MOS in details, and applys it to the difference four quadrant analogue multiplier.
Keywords:the resistance coupling neuron MOS transistor  the capacitance coupling neuron MOS transistor  the difference four  quadrant analogue multiplier
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