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大功率半导体激光器加速寿命测试方法
引用本文:荣宝辉,王晓燕,安振峰,仲琳,陈国鹰,张存善.大功率半导体激光器加速寿命测试方法[J].半导体技术,2008,33(4):360-362.
作者姓名:荣宝辉  王晓燕  安振峰  仲琳  陈国鹰  张存善
作者单位:1. 河北工业大学,信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051
2. 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051
3. 河北工业大学,信患工程学院,天津,300130
摘    要:大功率半导体激光器在高可靠性光学系统的应用中,寿命值预测十分关键.采用808 nm波长的无Al大功率半导体单管激光器进行了40、80℃的恒定温度的加速老化试验.应用Arrhenius和对数正态分布的理论对试验结果进行分析,计算出激光器长期退化的激活能为0.52 eV,推导得到激光器室温下工作的平均寿命为15 000 h.并对试验后的器件进行失效分析,找出失效原因.

关 键 词:半导体激光器  加速老化  可靠性  寿命试验
文章编号:1003-353X(2008)04-0360-03
修稿时间:2007年11月14

Accelerated Life-Time Test of High-Power Laser Diode
Rong Baohui,Wang Xiaoyan,An Zhenfeng,Zhong Lin,Chen Guoying,Zhang Cunshan.Accelerated Life-Time Test of High-Power Laser Diode[J].Semiconductor Technology,2008,33(4):360-362.
Authors:Rong Baohui  Wang Xiaoyan  An Zhenfeng  Zhong Lin  Chen Guoying  Zhang Cunshan
Institution:Rong Baohui1,2,Wang Xiaoyan2,An Zhenfeng2,Zhong Lin1,Chen Guoying1,Zhang Cunshan1(1.School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China,2.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China)
Abstract:
Keywords:semiconductor laser  accelerated aging  reliability  life-time experiment  
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