| 电荷直接隧穿特征时间的计算模型 |
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| 引用本文： | 杨红官,李晓阳,刘全慧.电荷直接隧穿特征时间的计算模型[J].计算物理,2007,24(1):71-77. |
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| 作者姓名： | 杨红官 李晓阳 刘全慧 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082;湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082;湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082 |
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| 基金项目： | 湖南省高校青年骨干教师培养基金
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湖南大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在分析硅基纳米存储器的势结构和价带混合效应对直接隧穿过程影响的基础上,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,发展了电子和空穴直接隧穿时间的计算模型.利用该模型数值计算了硅基纳米存储器的编程时间和保留时间,讨论了结构参数和外加偏压对器件存储性能的影响,指出需要设计新的器件结构模型来优化硅基纳米存储器的保留特性.
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| 关 键 词： | 直接隧穿 传输哈密顿方法 纳米存储器 |
| 文章编号： | 1001-246X（2007）01-0071-07 |
| 收稿时间： | 2005-10-18 |
| 修稿时间： | 2006-04-06 |
Characteristic Time of Direct Charge Tunneling in a Silicon Nanocrystal Based Memory |
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| YANG Hongguan,LI Xiaoyang,LIU Quanhui.Characteristic Time of Direct Charge Tunneling in a Silicon Nanocrystal Based Memory[J].Chinese Journal of Computational Physics,2007,24(1):71-77. |
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| Authors: | YANG Hongguan LI Xiaoyang LIU Quanhui |
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| Institution: | Departrment of Applied Physics, Hunan University, Changsha 410082, China |
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| Abstract: | Considering potential configuration of a silicon nanocrystal based memory and the mixing effect of valence bands,we calculate direct tunneling time of electron and hole with sequential tunnel theory and in the Bardeen's transfer Hamiltonian formalism.The programming and retention times of a silicon nanocrystal based memory are calculated.Influences of structure and bias on the performance of device are discussed.It is shown that new devices are expected in order to improve the retention property of silicon nanocrystal based memories. |
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| Keywords: | direct tunneling transfer Hamiltonian formalism nanocrystals based memory |
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