|
|||||
|
|
| CH_3OH在Ga-rich GaAs(001)-(4×2)表面上的吸附与解离:团簇模型的密度泛函计算 | |
| 摘 要： | 采用简单团簇模型结合密度泛函理论研究了CH3OH在Ga-rich Ga As(001)-(4×2)表面上的吸附与解离过程.计算结果表明,CH3OH在Ga-rich Ga As(001)-(4×2)表面上首先会形成两种化学吸附状态,然后CH3OH经解离生成CH3O自由基和H原子吸附在表面不同位置上.通过比较各个吸附解离路径,发现解离后的H原子相对更容易吸附在位于表面第二层紧邻的As原子上. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《原子与分子物理学报》下载免费的PDF全文 | |