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| 稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构 | |
| 作者姓名： | 贾瑜 杨仕娥 马丙现 李新建 胡行 |
| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052 |
| 基金项目： | 河南省自然科学基金（批准号：0111050400）资助的课题. |
| 摘 要： | 采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算. 结果表明：对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即 -0.1—0.1eV,085—10eV和1.4—1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85—1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在 - 0.1—0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的As As二聚体键的表 面态,而处在1.4—
关键词：
高密勒指数表面
电子结构
电子数目规则 |
| 关 键 词： | 高密勒指数表面 电子结构 电子数目规则 |
| 收稿时间： | 2003-10-20 |
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