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聚焦Ga~ 离子束注入方法研制半导体量子线结构
作者姓名:吴正云  黄启圣
作者单位:厦门大学物理系!厦门361005
摘    要:采用聚焦Ga~ 离子束注入方法,在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱材料上尝试制备半导体量子线。通过低温光致发光谱,测量了量子线的光电特性,并观察了由于沟道效应导致的深层量子阱的光谱蓝移。

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