| 富硅氮化硅／c—Si异质结中的电流输运机理研究 |
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| 引用本文： | 丁文革,桑云刚,于威,杨彦斌,滕晓云,傅广生. 富硅氮化硅／c—Si异质结中的电流输运机理研究[J]. 物理学报, 2012, 61(24) |
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| 作者姓名： | 丁文革 桑云刚 于威 杨彦斌 滕晓云 傅广生 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省重点基础研究项目( |
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| 摘 要： | 采用对靶磁控溅射方法在P型晶体硅（c—Si）衬底上沉积n型富硅氮化硅（SiNx）薄膜，形成了富硅SiNx／c—Si异质结．异质结器件呈现出较高的整流比，在室温下当V=4-2V时为1．3×10^3．在正向偏压下温度依赖的J—V特性曲线可以分为三个明显不同的区域．在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理，在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的，在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流（SCLC）传输机理为主．
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| 关 键 词： | 对靶磁控溅射 富硅氮化硅 异质结 传输机理 |
Current transport mechanism in silicon-rich silicon nitride/c-Si heterojunction |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | facing targe sputtering Si-rich silicon nitride heterojunction transport mechanism |
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