| Si衬底对ZnO薄膜性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 周建青,周永宁,吴子景,卢茜,吴晓京. Si衬底对ZnO薄膜性能影响的研究[J]. 物理, 2008, 37(5): 303-306 |
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| 作者姓名： | 周建青 周永宁 吴子景 卢茜 吴晓京 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 基金项目： | 上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 使用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition, PLD)技术,采用两种不同纯度(99.5%和99.99%)的ZnO靶材,在p型Si衬底上制备了两种ZnO/Si薄膜.原子力显微镜与X射线衍射分析表明,两种样品具有相似的显微形貌与相同的晶体结构.霍尔效应测试发现,两种ZnO/Si薄膜都展现出了低电阻率、高迁移率的电学性能,但是其导电类型完全相反.研究结果表明,衬底的性能对霍尔效应测试有巨大影响.利用二次离子质谱仪,发现了在低纯度的样品中存在着S杂质向Si衬底中扩散的现象,并直接导致了衬底的导电性能的反型.
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| 关 键 词： | 材料科学 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 Si衬底 杂质元素S 薄膜 性能影响 研究 ZnO film properties substrates 导电性能 现象 扩散 存在 低纯度 二次离子质谱仪 利用 结果 完全 导电类型 电学性能 迁移率 低电阻率 发现 |
| 修稿时间： | 2008-03-04 |
The impact of Si substrates on the properties of ZnO film |
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| ZHOU Jian-Qing,ZHOU Yong-Ning,WU Zi-Jing,LU Qian,WU Xiao-Jing. The impact of Si substrates on the properties of ZnO film[J]. Physics, 2008, 37(5): 303-306 |
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| Authors: | ZHOU Jian-Qing ZHOU Yong-Ning WU Zi-Jing LU Qian WU Xiao-Jing |
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