基于VDMOS结构的浮栅MOS存储机理的核辐射探测器 |
| |
引用本文: | 郭群英,周坤.基于VDMOS结构的浮栅MOS存储机理的核辐射探测器[J].集成电路通讯,2008,26(3). |
| |
作者姓名: | 郭群英 周坤 |
| |
作者单位: | 中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042 |
| |
摘 要: | 本文介绍基于VDMOS结构的浮栅MOS管存储机理核辐射探测器的基本概念,简要介绍了浮栅MOS管的结构设计、制作和测试。
|
关 键 词: | VDMOS管 浮栅MOS管 FN(Flowler—Nordheim)隧道效应 开启电压 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|