| In∶Ce∶Cu∶LiNbO_3晶体的生长及存储性能研究 |
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| 引用本文： | 王军,徐悟生,王锐.In∶Ce∶Cu∶LiNbO_3晶体的生长及存储性能研究[J].人工晶体学报,2003(1). |
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| 作者姓名： | 王军 徐悟生 王锐 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学光电子技术研究所 哈尔滨150001
(王军，徐悟生)，哈尔滨工业大学光电子技术研究所 哈尔滨150001(王锐) |
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| 基金项目： | 973国家重大基础研究项目 (No.G19990 3 3 0 )，国家 863高技术计划 (No.2 0 0 1AA3 13 0 40 )，黑龙江省自然科学基金 (A0 1 0 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 在Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体中掺进In2 O3 ,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体。对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试 ,结果表明 :In(3mol% )∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3 提高两个数量级 ,其OH-吸收峰由LiNbO3 的 3484cm-1移到 35 0 8cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体快三倍。对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究
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| 关 键 词： | In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 存储性能 响应时间 晶体生长 |
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