| a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成 |
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| 引用本文： | 林鸿溢. a-Si:H簿膜的晶化与分形结构的形成[J]. 半导体学报, 1990, 11(6): 430-434 |
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| 作者姓名： | 林鸿溢 |
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| 作者单位： | 北京理工大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 利用透射电子显微镜(TEM)观测a-Si:H 薄膜在不同温度下生长的分形结构。实验方法为原位动态技术。对分形结构的TEM形貌像用Sandbox方法计算了其分形维数。450℃时,形成具有类似分叉状的分形结构,分形线数d_f=1.69;800℃时,形成岛状分形结构,分形维数d_f=1.76。实验结果表明,分形结构的形成与薄膜物性的变化相联系。文中还对分形结构与a =Si:H 薄膜晶化的关系进行了讨论。
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| 关 键 词： | 分形结构 非晶态硅 薄膜 晶化 动态方法 分形维数 |
Crystallization and Fractal Structure in Hydrogenated Amorphous Silicon Films |
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| Lin Hongyi/. Crystallization and Fractal Structure in Hydrogenated Amorphous Silicon Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(6): 430-434 |
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| Authors: | Lin Hongyi/ |
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| Affiliation: | Lin Hongyi/Department of Electronics Engineering,Beijing Untversity of Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Fractal structure Fractal dimension Amorphous silicon Thin film Crystallization Dynamic method |
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