| 半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究 |
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| 引用本文： | 姜山,沈学础,李国华.半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究[J].半导体学报,1992,13(2):84-89. |
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| 作者姓名： | 姜山 沈学础 李国华 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 上海200083
(姜山，沈学础)，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 北京100083(李国华) |
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| 摘 要： | 采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.
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| 关 键 词： | 磁性半导体 压力 光致发光 Cd－MnTe |
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